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上圖是使用無(wú)損吸收的單管正激一次側(cè)(初級(jí))典型電路，現(xiàn)分析其工作機(jī)制。 1.元件功能介紹：T1A是勵(lì)磁線圈，用于產(chǎn)生磁場(chǎng)，傳輸能量。 T1B是退磁線圈，用于對(duì)磁芯進(jìn)行磁復(fù)位，避免

上圖是使用無(wú)損吸收的單管正激一次側(cè)(初級(jí))典型電路，現(xiàn)分析其工作機(jī)制。
1.元件功能介紹：T1A是勵(lì)磁線圈，用于產(chǎn)生磁場(chǎng)，傳輸能量。
               T1B是退磁線圈，用于對(duì)磁芯進(jìn)行磁復(fù)位，避免磁芯飽和。
               Q1： MOSFET，用作功率開(kāi)關(guān)管。
               C3：一次側(cè)儲(chǔ)能電容。
               D1：為退磁電流提供通道，同時(shí)為C0提供充電通道。
               R1，C1：用于削除分布參數(shù)引起的尖峰。
               R2：取樣電阻。
2.工作原理：1。當(dāng)Q1導(dǎo)通時(shí)，C3上的電壓通過(guò)T1A和Q1到地形成通路，此時(shí)，能量通過(guò)磁芯向次級(jí)傳送，同時(shí)，磁芯中的磁感應(yīng)強(qiáng)度呈線性增長(zhǎng)。
          2。為了在Q1下次導(dǎo)通前，磁芯中的磁感應(yīng)強(qiáng)度下降到初始狀態(tài)，需要對(duì)磁芯進(jìn)行退磁，這個(gè)功能是由T1B（和T1A繞在同一磁芯上),D1,C3完成的。T1A的“1”端和T1B的“3”端是同名端。由于電磁感應(yīng)的作用，在Q1截止時(shí)，T1B的“4”端相對(duì)于“3”端是高電位，于是，退磁電流的通道就是由“4”通過(guò)D1，C3，回到T1B的“3”端。此時(shí)，實(shí)際上是勵(lì)磁能量回收到C3中。
          3。由于各種因素的影響，T1A，T1B一般不會(huì)有100%的耦合，因此，T1A相對(duì)T1B來(lái)說(shuō)，存在漏電感，即有一部能量，是不能通過(guò)退磁電流回收到C3中的。那么這部分能量實(shí)際上就是通過(guò)C0，D1進(jìn)行回收的。
          4。漏感能量的回收：當(dāng)Q1截止時(shí)，由于電磁感應(yīng)的作用，T1A感生出“2”正，“1”負(fù)的電壓，于是這個(gè)能量通過(guò)D1對(duì)C0充電，漏感能量暫存在C0中。
          5。當(dāng)Q1再次導(dǎo)通時(shí)，C0又通過(guò)Q1和T1B形成回路。實(shí)際上，這和C3通過(guò)Q1和T1A形成回路產(chǎn)生的效果是一樣的，都會(huì)把能量向次級(jí)傳送。
          6。通過(guò)4，5兩個(gè)過(guò)程，實(shí)際上完成了漏感能量的回收和再利用。